Hlutanúmer :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Framleiðandi :
Infineon Technologies
Lýsing :
MOSFET MODULE 1200V 50A
FET gerð :
2 N-Channel (Dual)
FET lögun :
Silicon Carbide (SiC)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ kt :
5.5V @ 20mA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 5V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 800V
Vinnuhitastig :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð :
Chassis Mount
Birgir tæki pakki :
Module