Vishay Siliconix - SI1013CX-T1-GE3

KEY Part #: K6421605

SI1013CX-T1-GE3 Verðlagning (USD) [988598stk lager]

  • 1 pcs$0.03760
  • 3,000 pcs$0.03741

Hlutanúmer:
SI1013CX-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - Forritanleg sameining, Transistors - sérstök tilgangur, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Transistors - IGBTs - Single, Díóða - RF, Díóða - Bríta leiðréttingar, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF and Transistors - FETs, MOSFETs - Single ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI1013CX-T1-GE3 electronic components. SI1013CX-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1013CX-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1013CX-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI1013CX-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 20V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 450mA (Ta)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ kt : 1V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V
Vgs (hámark) : ±8V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 45pF @ 10V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 190mW (Ta)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : SC-89-3
Pakki / mál : SC-89, SOT-490