ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320D-3DBLI-TR

KEY Part #: K938097

IS43DR16320D-3DBLI-TR Verðlagning (USD) [19211stk lager]

  • 1 pcs$2.85382
  • 2,500 pcs$2.83962

Hlutanúmer:
IS43DR16320D-3DBLI-TR
Framleiðandi:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nákvæm lýsing:
IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: PMIC - hleðslutæki, PMIC - orkustjórnun - sérhæfð, Rökfræði - FIFOs minni, Línuleg - Vinnsla myndbanda, PMIC - Rafmagnsstýringar, skjáir, Innbyggt - DSP (Stafræn merki örgjörvar), Rökfræði - Teljarar, sundurliðarar and Gagnaöflun - Stafrænn styrkleiki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBLI-TR electronic components. IS43DR16320D-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16320D-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16320D-3DBLI-TR Vörueiginleikar

Hlutanúmer : IS43DR16320D-3DBLI-TR
Framleiðandi : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Lýsing : IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA
Röð : -
Hluti staða : Active
Minni gerð : Volatile
Minni snið : DRAM
Tækni : SDRAM - DDR2
Minni stærð : 512Mb (32M x 16)
Tíðni klukku : 333MHz
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : 15ns
Aðgangstími : 450ps
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 1.7V ~ 1.9V
Vinnuhitastig : -40°C ~ 85°C (TA)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 84-TFBGA
Birgir tæki pakki : 84-TWBGA (8x12.5)

Nýjustu fréttir

Þú gætir líka haft áhuga á
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)