Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2GHE3/5BT

KEY Part #: K6447584

[1374stk lager]


    Hlutanúmer:
    ES2GHE3/5BT
    Framleiðandi:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Nákvæm lýsing:
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - Zener - Fylki, Thyristors - SCR, Transistors - Forritanleg sameining, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - Zener - Stakur and Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2GHE3/5BT electronic components. ES2GHE3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2GHE3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2GHE3/5BT Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : ES2GHE3/5BT
    Framleiðandi : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Lýsing : DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
    Röð : -
    Hluti staða : Discontinued at Digi-Key
    Díóða gerð : Standard
    Spenna - DC snúningur (Vr) (Max) : 400V
    Núverandi - meðaltal leiðrétt (Io) : 2A
    Spenna - Fram (Vf) (Max) @ Ef : 1.1V @ 2A
    Hraði : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Afturheimtur bata (trr) : 50ns
    Núverandi - Aftur leki @ Vr : 10µA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    Festingargerð : Surface Mount
    Pakki / mál : DO-214AA, SMB
    Birgir tæki pakki : DO-214AA (SMB)
    Rekstrarhiti - mótum : -50°C ~ 150°C

    Þú gætir líka haft áhuga á
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.