Vishay Siliconix - SI4110DY-T1-GE3

KEY Part #: K6413095

[13218stk lager]


    Hlutanúmer:
    SI4110DY-T1-GE3
    Framleiðandi:
    Vishay Siliconix
    Nákvæm lýsing:
    MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Transistors - JFETs, Díóða - leiðréttingar - stakir, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast and Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4110DY-T1-GE3 electronic components. SI4110DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4110DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4110DY-T1-GE3 Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : SI4110DY-T1-GE3
    Framleiðandi : Vishay Siliconix
    Lýsing : MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
    Röð : TrenchFET®
    Hluti staða : Obsolete
    FET gerð : N-Channel
    Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
    Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 80V
    Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 17.3A (Tc)
    Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 11.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 250µA
    Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (hámark) : ±20V
    Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 2205pF @ 40V
    FET lögun : -
    Dreifing orku (Max) : 3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
    Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Festingargerð : Surface Mount
    Birgir tæki pakki : 8-SO
    Pakki / mál : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)