Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. W947D6HBHX5E

Winbond Electronics - W947D6HBHX5E

KEY Part #: K941219

W947D6HBHX5E Verðlagning (USD) [34892stk lager]

  • 1 pcs$1.47634
Hlutanúmer:
W947D6HBHX5E
Framleiðandi:
Winbond Electronics
Nákvæm lýsing:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Rökfræði - klemmur, Rökfræði - Teljarar, sundurliðarar, PMIC - Spenna eftirlitsstofnanir - Línuleg + Rofi, PMIC - RMS til DC breytir, PMIC - V / F og F / V breytir, PMIC - Spennaeftirlit - Sérstakur tilgangur, PMIC - EÐA stýringar, tilvalin díóða and Gagnaöflun - Stafræn til hliðstæða breytir (DAC) ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX5E electronic components. W947D6HBHX5E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX5E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX5E Vörueiginleikar

Hlutanúmer : W947D6HBHX5E
Framleiðandi : Winbond Electronics
Lýsing : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Röð : -
Hluti staða : Active
Minni gerð : Volatile
Minni snið : DRAM
Tækni : SDRAM - Mobile LPDDR
Minni stærð : 128Mb (8M x 16)
Tíðni klukku : 200MHz
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : 15ns
Aðgangstími : 5ns
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 1.7V ~ 1.95V
Vinnuhitastig : -25°C ~ 85°C (TC)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 60-TFBGA
Birgir tæki pakki : 60-VFBGA (8x9)

Nýjustu fréttir

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Þú gætir líka haft áhuga á
  • NDS73PT9-16ET

    Insignis Technology Corporation

    IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 86TSOP.

  • IS25WP128-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON.

  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

Heitar hlutar