Infineon Technologies - IPB034N03LGATMA1

KEY Part #: K6419528

IPB034N03LGATMA1 Verðlagning (USD) [116567stk lager]

  • 1 pcs$0.31731

Hlutanúmer:
IPB034N03LGATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - breytileg getu, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Thyristors - TRIACs, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF, Díóða - leiðréttingar - fylki, Transistors - FETs, MOSFETs - Single and Transistors - IGBTs - Single ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies IPB034N03LGATMA1 electronic components. IPB034N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB034N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB034N03LGATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : IPB034N03LGATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 30V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 80A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.2V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 15V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 94W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 175°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : D²PAK (TO-263AB)
Pakki / mál : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Þú gætir líka haft áhuga á