Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. TH58BYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58BYG2S3HBAI4

KEY Part #: K934690

TH58BYG2S3HBAI4 Verðlagning (USD) [13416stk lager]

  • 1 pcs$3.41542
Hlutanúmer:
TH58BYG2S3HBAI4
Framleiðandi:
Toshiba Memory America, Inc.
Nákvæm lýsing:
4G SLC NAND BGA 24NM. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: PMIC - Spennaeftirlit - Sérstakur tilgangur, Viðmót - Raddupptaka og spilun, Línuleg - samanburður, Innbyggt - örstýring, örgjörvi, FPGA mát, PMIC - Spenna eftirlitsstofnanir - Línuleg + Rofi, PMIC - Spenna tilvísun, Viðmót - Útsending and Innbyggð - FPGA (Field Programable Gate Array) með ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI4 electronic components. TH58BYG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58BYG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58BYG2S3HBAI4 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : TH58BYG2S3HBAI4
Framleiðandi : Toshiba Memory America, Inc.
Lýsing : 4G SLC NAND BGA 24NM
Röð : Benand™
Hluti staða : Active
Minni gerð : Non-Volatile
Minni snið : FLASH
Tækni : FLASH - NAND (SLC)
Minni stærð : 4Gb (512M x 8)
Tíðni klukku : -
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : -
Aðgangstími : -
Minni tengi : -
Spenna - Framboð : -
Vinnuhitastig : -40°C ~ 85°C
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 63-VFBGA
Birgir tæki pakki : 63-TFBGA (9x11)

Nýjustu fréttir

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Þú gætir líka haft áhuga á
  • M45PE80-VMP6G

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8VFQFPN.

  • M45PE80-VMP6

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8VFQFPN.

  • M45PE40-VMP6G

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8VFQFPN.

  • M45PE20-VMP6G

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 2M SPI 75MHZ 8VDFPN.

  • M45PE10-VMP6G

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 1M SPI 75MHZ 8VDFPN.

  • M95640-WDW6TG

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP.

Heitar hlutar