Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. TC58BYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG1S3HBAI6

KEY Part #: K939728

TC58BYG1S3HBAI6 Verðlagning (USD) [26323stk lager]

  • 1 pcs$1.26922
  • 10 pcs$1.08162
  • 25 pcs$1.06432
  • 50 pcs$1.06156
  • 100 pcs$0.94850
  • 250 pcs$0.91770
  • 500 pcs$0.91428
Hlutanúmer:
TC58BYG1S3HBAI6
Framleiðandi:
Toshiba Memory America, Inc.
Nákvæm lýsing:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Klukka / Tímasetning - Klukka í rauntíma, Innbyggðir - örgjörvi, Gagnaöflun - Analog Front End (AFE), Rökfræði - Hlið og breytir - Fjölvirkni, stillanle, Viðmót - umrita í dulmál, umbreytir, umbreytir, Rökfræði - Sérfræði rökfræði, Innbyggt - örstýring, örgjörvi, FPGA mát and Rökfræði - Rafalar og rafstöðvar ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI6 electronic components. TC58BYG1S3HBAI6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58BYG1S3HBAI6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG1S3HBAI6 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : TC58BYG1S3HBAI6
Framleiðandi : Toshiba Memory America, Inc.
Lýsing : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Röð : Benand™
Hluti staða : Active
Minni gerð : Non-Volatile
Minni snið : FLASH
Tækni : FLASH - NAND (SLC)
Minni stærð : 2Gb (256M x 8)
Tíðni klukku : -
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : 25ns
Aðgangstími : 25ns
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 1.7V ~ 1.95V
Vinnuhitastig : -40°C ~ 85°C (TA)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 67-VFBGA
Birgir tæki pakki : 67-VFBGA (6.5x8)

Nýjustu fréttir

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Þú gætir líka haft áhuga á
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • 6116LA25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Heitar hlutar