Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc. - EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

KEY Part #: K936833

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Verðlagning (USD) [15176stk lager]

  • 1 pcs$3.03444
  • 2,100 pcs$3.01935
Hlutanúmer:
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Framleiðandi:
Micron Technology Inc.
Nákvæm lýsing:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM LPDDR2 1G 32MX32 FBGA
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: PMIC - Spenna eftirlitsstofnanir - Línulegir eftir, Línuleg - Magnarar - Sérstakur tilgangur, Innfelld - FPGA (Field Programable Gate Array), Viðmót - Merkjasljúfar, Rökfræði - Sérfræði rökfræði, PMIC - Spenna tilvísun, Innfelld - Örstýringar - Sértæk forrit and PMIC - orkustjórnun - sérhæfð ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D electronic components. EDB1332BDBH-1DAAT-F-D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EDB1332BDBH-1DAAT-F-D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Vörueiginleikar

Hlutanúmer : EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Framleiðandi : Micron Technology Inc.
Lýsing : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Röð : -
Hluti staða : Active
Minni gerð : Volatile
Minni snið : DRAM
Tækni : SDRAM - Mobile LPDDR2
Minni stærð : 1Gb (32M x 32)
Tíðni klukku : 533MHz
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : -
Aðgangstími : -
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 1.14V ~ 1.95V
Vinnuhitastig : -40°C ~ 105°C (TC)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 134-VFBGA
Birgir tæki pakki : 134-VFBGA (10x11.5)

Nýjustu fréttir

Micron NAND Flash
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron LPDRAM
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Þú gætir líka haft áhuga á
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

Heitar hlutar