Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. MT40A2G4WE-083E:B

Micron Technology Inc. - MT40A2G4WE-083E:B

KEY Part #: K917268

MT40A2G4WE-083E:B Verðlagning (USD) [5952stk lager]

  • 1 pcs$7.69710
Hlutanúmer:
MT40A2G4WE-083E:B
Framleiðandi:
Micron Technology Inc.
Nákvæm lýsing:
IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ. DRAM DDR4 8G 2GX4 FBGA
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Rökfræði - Þýðendur, stigaskiptar, Gagnaöflun - Stafrænn styrkleiki, Viðmót - Merkjasljúfar, Viðmót - I / O stækkarar, Rökfræði - Rafalar og rafstöðvar, Innfelld - FPGA (Field Programable Gate Array), PMIC - orkustjórnun - sérhæfð and Rökfræði - Merkisrofar, margfeldisaðgerðir, myndly ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-083E:B electronic components. MT40A2G4WE-083E:B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT40A2G4WE-083E:B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT40A2G4WE-083E:B Vörueiginleikar

Hlutanúmer : MT40A2G4WE-083E:B
Framleiðandi : Micron Technology Inc.
Lýsing : IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
Röð : -
Hluti staða : Active
Minni gerð : Volatile
Minni snið : DRAM
Tækni : SDRAM - DDR4
Minni stærð : 8Gb (2G x 4)
Tíðni klukku : 1.2GHz
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : -
Aðgangstími : -
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 1.14V ~ 1.26V
Vinnuhitastig : 0°C ~ 95°C (TC)
Festingargerð : -
Pakki / mál : -
Birgir tæki pakki : -

Nýjustu fréttir

Micron SLC NAND Flash Memory
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND Flash
Micron LPDRAM
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron NAND-Based MCP
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Þú gætir líka haft áhuga á
  • W25Q128FVEIP

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25Q256FVEIP

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25Q256FVEIP TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25Q128FVTIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8VSOP.

  • 71342LA25PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 32K PARALLEL 64TQFP. FIFO 5V DUAL-PORT RAM

  • CY14B101KA-SP45XIT

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NVSRAM 1M PARALLEL 48SSOP. NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM

Heitar hlutar