Vishay Siliconix - SIHD7N60ET4-GE3

KEY Part #: K6419302

SIHD7N60ET4-GE3 Verðlagning (USD) [103515stk lager]

  • 1 pcs$0.37773

Hlutanúmer:
SIHD7N60ET4-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - Bríta leiðréttingar, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Transistors - IGBTs - Single, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Thyristors - TRIACs, Díóða - leiðréttingar - fylki, Transistors - IGBTs - Arrays and Kerfisstjóratæki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD7N60ET4-GE3 electronic components. SIHD7N60ET4-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD7N60ET4-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD7N60ET4-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SIHD7N60ET4-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
Röð : E
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 600V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 7A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±30V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 78W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : TO-252AA
Pakki / mál : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Þú gætir líka haft áhuga á