Vishay Siliconix - SQ2303ES-T1_GE3

KEY Part #: K6418450

SQ2303ES-T1_GE3 Verðlagning (USD) [514079stk lager]

  • 1 pcs$0.07195
  • 3,000 pcs$0.06474

Hlutanúmer:
SQ2303ES-T1_GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single, Transistors - IGBTs - Arrays, Kerfisstjóratæki, Díóða - Bríta leiðréttingar, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - leiðréttingar - stakir and Transistors - IGBTs - mát ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_GE3 electronic components. SQ2303ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2303ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2303ES-T1_GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SQ2303ES-T1_GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Röð : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 30V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 2.5A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 25V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 1.9W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 175°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : TO-236 (SOT-23)
Pakki / mál : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Þú gætir líka haft áhuga á