Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Innbyggð rafrás (IC)
  4. Minni
  5. TH58NVG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58NVG3S0HBAI4

KEY Part #: K924477

TH58NVG3S0HBAI4 Verðlagning (USD) [8571stk lager]

  • 1 pcs$5.34569
Hlutanúmer:
TH58NVG3S0HBAI4
Framleiðandi:
Toshiba Memory America, Inc.
Nákvæm lýsing:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Línuleg - Magnarar - Sérstakur tilgangur, Gagnaöflun - Stafræn til hliðstæða breytir (DAC), PMIC - Spennubúnaður - Línulegur, Rökfræði - Hlið og víxlmenn, Viðmót - CODEC, Rökfræði - Multivibrators, Rökfræði - Sérfræði rökfræði and Línuleg - Magnarar - Vídeó magnarar og mát ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG3S0HBAI4 electronic components. TH58NVG3S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG3S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NVG3S0HBAI4 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : TH58NVG3S0HBAI4
Framleiðandi : Toshiba Memory America, Inc.
Lýsing : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Röð : -
Hluti staða : Active
Minni gerð : Non-Volatile
Minni snið : FLASH
Tækni : FLASH - NAND (SLC)
Minni stærð : 8Gb (1G x 8)
Tíðni klukku : -
Skrifaðu lotutíma - Orð, blaðsíða : 25ns
Aðgangstími : 25ns
Minni tengi : Parallel
Spenna - Framboð : 2.7V ~ 3.6V
Vinnuhitastig : -40°C ~ 85°C (TA)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : 63-VFBGA
Birgir tæki pakki : 63-TFBGA (9x11)

Nýjustu fréttir

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Þú gætir líka haft áhuga á
  • AT25020A-10TU-1.8-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT25010A-10TU-2.7-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT25040A-10TU-2.7-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8TSSOP.

  • AT88SC1616C-PU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 16K I2C 5MHZ 8DIP. EEPROM CRYPTOMEMORY 16kB 16 ZONE - 8 IND TEMP

  • AT88SC0808C-PU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 8K I2C 5MHZ 8DIP.

  • TH58NVG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Heitar hlutar