Vishay Semiconductor Diodes Division - GI828-E3/54

KEY Part #: K6447475

[1411stk lager]


    Hlutanúmer:
    GI828-E3/54
    Framleiðandi:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Nákvæm lýsing:
    DIODE GEN PURP 800V 5A P600.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Kerfisstjóratæki, Transistors - Forritanleg sameining, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF, Transistors - JFETs, Díóða - Bríta leiðréttingar, Díóða - Zener - Fylki, Transistors - IGBTs - Arrays and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GI828-E3/54 electronic components. GI828-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GI828-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GI828-E3/54 Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : GI828-E3/54
    Framleiðandi : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Lýsing : DIODE GEN PURP 800V 5A P600
    Röð : -
    Hluti staða : Obsolete
    Díóða gerð : Standard
    Spenna - DC snúningur (Vr) (Max) : 800V
    Núverandi - meðaltal leiðrétt (Io) : 5A
    Spenna - Fram (Vf) (Max) @ Ef : 1.1V @ 5A
    Hraði : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Afturheimtur bata (trr) : 200ns
    Núverandi - Aftur leki @ Vr : 10µA @ 800V
    Capacitance @ Vr, F : 300pF @ 4V, 1MHz
    Festingargerð : Through Hole
    Pakki / mál : P600, Axial
    Birgir tæki pakki : P600
    Rekstrarhiti - mótum : -50°C ~ 150°C

    Þú gætir líka haft áhuga á
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 8EWS12S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK.

    • 50WQ06FNTRR

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.