Global Power Technologies Group - GP1M004A090H

KEY Part #: K6402706

[2611stk lager]


    Hlutanúmer:
    GP1M004A090H
    Framleiðandi:
    Global Power Technologies Group
    Nákvæm lýsing:
    MOSFET N-CH 900V 4A TO220.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Thyristors - SCR, Díóða - Zener - Fylki, Díóða - leiðréttingar - fylki, Kerfisstjóratæki, Transistors - Forritanleg sameining, Díóða - breytileg getu, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf and Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M004A090H electronic components. GP1M004A090H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M004A090H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M004A090H Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : GP1M004A090H
    Framleiðandi : Global Power Technologies Group
    Lýsing : MOSFET N-CH 900V 4A TO220
    Röð : -
    Hluti staða : Obsolete
    FET gerð : N-Channel
    Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
    Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 900V
    Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 4A (Tc)
    Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 250µA
    Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (hámark) : ±30V
    Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 955pF @ 25V
    FET lögun : -
    Dreifing orku (Max) : 123W (Tc)
    Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Festingargerð : Through Hole
    Birgir tæki pakki : TO-220
    Pakki / mál : TO-220-3

    Þú gætir líka haft áhuga á
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.