Vishay Siliconix - SI3473DDV-T1-GE3

KEY Part #: K6421467

SI3473DDV-T1-GE3 Verðlagning (USD) [586266stk lager]

  • 1 pcs$0.06309

Hlutanúmer:
SI3473DDV-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - IGBTs - Single, Díóða - Zener - Stakur, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - Zener - Fylki, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs and Díóða - leiðréttingar - fylki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI3473DDV-T1-GE3 electronic components. SI3473DDV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3473DDV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3473DDV-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI3473DDV-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Röð : TrenchFET® Gen III
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 12V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 8A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ kt : 1V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 8V
Vgs (hámark) : ±8V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1975pF @ 6V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 3.6W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : 6-TSOP
Pakki / mál : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6