Hlutanúmer :
BSM120D12P2C005
Framleiðandi :
Rohm Semiconductor
Lýsing :
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
FET gerð :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET lögun :
Silicon Carbide (SiC)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C :
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ kt :
2.7V @ 22mA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds :
14000pF @ 10V
Vinnuhitastig :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Birgir tæki pakki :
Module