Infineon Technologies - BSC123N08NS3GATMA1

KEY Part #: K6420568

BSC123N08NS3GATMA1 Verðlagning (USD) [155515stk lager]

  • 1 pcs$0.23784
  • 5,000 pcs$0.16144

Hlutanúmer:
BSC123N08NS3GATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - IGBTs - mát, Díóða - Zener - Fylki, Díóða - leiðréttingar - fylki, Díóða - RF, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Thyristors - DIACs, SIDACs and Díóða - Bríta leiðréttingar ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 electronic components. BSC123N08NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC123N08NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC123N08NS3GATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : BSC123N08NS3GATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 80V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 11A (Ta), 55A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.3 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3.5V @ 33µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1870pF @ 40V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PG-TDSON-8
Pakki / mál : 8-PowerTDFN

Þú gætir líka haft áhuga á