Vishay Siliconix - SI4425DDY-T1-GE3

KEY Part #: K6418734

SI4425DDY-T1-GE3 Verðlagning (USD) [254929stk lager]

  • 1 pcs$0.14581
  • 2,500 pcs$0.14509

Hlutanúmer:
SI4425DDY-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - sérstök tilgangur, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Transistors - Forritanleg sameining, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Transistors - IGBTs - mát, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Transistors - IGBTs - Arrays and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 electronic components. SI4425DDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4425DDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4425DDY-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI4425DDY-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CH 30V 19.7A 8-SOIC
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 30V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 19.7A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 2610pF @ 15V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : 8-SO
Pakki / mál : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Þú gætir líka haft áhuga á