Diodes Incorporated - DMN10H120SFG-13

KEY Part #: K6394605

DMN10H120SFG-13 Verðlagning (USD) [320618stk lager]

  • 1 pcs$0.11536

Hlutanúmer:
DMN10H120SFG-13
Framleiðandi:
Diodes Incorporated
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Kerfisstjóratæki, Thyristors - SCR, Thyristors - SCRs - mát, Díóða - leiðréttingar - fylki, Díóða - Zener - Fylki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Transistors - JFETs and Díóða - RF ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H120SFG-13 electronic components. DMN10H120SFG-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H120SFG-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H120SFG-13 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : DMN10H120SFG-13
Framleiðandi : Diodes Incorporated
Lýsing : MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Röð : -
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 3.8A (Ta)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 549pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 1W (Ta)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PowerDI3333-8
Pakki / mál : 8-PowerVDFN