Vishay Siliconix - SI1480DH-T1-GE3

KEY Part #: K6421344

SI1480DH-T1-GE3 Verðlagning (USD) [471021stk lager]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Hlutanúmer:
SI1480DH-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs - mát, Díóða - Zener - Fylki, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Díóða - Bríta leiðréttingar, Transistors - FETs, MOSFETs - Single and Díóða - leiðréttingar - stakir ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3 electronic components. SI1480DH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1480DH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1480DH-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI1480DH-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 2.6A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : SC-70-6 (SOT-363)
Pakki / mál : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Þú gætir líka haft áhuga á