Infineon Technologies - BSC252N10NSFGATMA1

KEY Part #: K6420425

BSC252N10NSFGATMA1 Verðlagning (USD) [194119stk lager]

  • 1 pcs$0.19054
  • 5,000 pcs$0.18290

Hlutanúmer:
BSC252N10NSFGATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistors - IGBTs - mát, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Díóða - Zener - Fylki, Díóða - breytileg getu, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistors - sérstök tilgangur and Díóða - Bríta leiðréttingar ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies BSC252N10NSFGATMA1 electronic components. BSC252N10NSFGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC252N10NSFGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC252N10NSFGATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : BSC252N10NSFGATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 7.2A (Ta), 40A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 43µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 78W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PG-TDSON-8
Pakki / mál : 8-PowerTDFN

Þú gætir líka haft áhuga á