Infineon Technologies - IPB320N20N3GATMA1

KEY Part #: K6399783

IPB320N20N3GATMA1 Verðlagning (USD) [59188stk lager]

  • 1 pcs$0.66061

Hlutanúmer:
IPB320N20N3GATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Thyristors - SCR, Kerfisstjóratæki, Díóða - leiðréttingar - fylki, Díóða - leiðréttingar - stakir, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single and Transistors - FETs, MOSFETs - RF ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 electronic components. IPB320N20N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB320N20N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB320N20N3GATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : IPB320N20N3GATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 200V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 34A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 90µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 2350pF @ 100V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 136W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 175°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : D²PAK (TO-263AB)
Pakki / mál : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Þú gætir líka haft áhuga á