Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Discrete Semiconductor Products
  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  5. EPC8010

EPC - EPC8010

KEY Part #: K6416436

EPC8010 Verðlagning (USD) [106032stk lager]

  • 1 pcs$0.65777
  • 2,500 pcs$0.65450
Hlutanúmer:
EPC8010
Framleiðandi:
EPC
Nákvæm lýsing:
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Thyristors - SCR, Díóða - RF, Kerfisstjóratæki, Transistors - FETs, MOSFETs - RF and Transistors - IGBTs - Arrays ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in EPC EPC8010 electronic components. EPC8010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC8010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8010 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : EPC8010
Framleiðandi : EPC
Lýsing : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Röð : eGaN®
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : GaNFET (Gallium Nitride)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 2.7A (Ta)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 0.48nC @ 5V
Vgs (hámark) : +6V, -4V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 55pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : -
Vinnuhitastig : -40°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : Die
Pakki / mál : Die
Þú gætir líka haft áhuga á
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.

Heitar hlutar