Infineon Technologies - IPD180N10N3GBTMA1

KEY Part #: K6393695

IPD180N10N3GBTMA1 Verðlagning (USD) [202426stk lager]

  • 1 pcs$0.18272

Hlutanúmer:
IPD180N10N3GBTMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Transistors - IGBTs - mát, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Kerfisstjóratæki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Thyristors - SCR, Díóða - breytileg getu and Díóða - Zener - Stakur ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies IPD180N10N3GBTMA1 electronic components. IPD180N10N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD180N10N3GBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD180N10N3GBTMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : IPD180N10N3GBTMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 43A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3.5V @ 33µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 71W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 175°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PG-TO252-3
Pakki / mál : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63