Vishay Siliconix - SISS98DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420336

SISS98DN-T1-GE3 Verðlagning (USD) [183655stk lager]

  • 1 pcs$0.20140
  • 3,000 pcs$0.18912

Hlutanúmer:
SISS98DN-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - leiðréttingar - stakir, Transistors - sérstök tilgangur, Díóða - Zener - Stakur, Thyristors - SCR, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single, Díóða - breytileg getu, Thyristors - DIACs, SIDACs and Kerfisstjóratæki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3 electronic components. SISS98DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS98DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS98DN-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SISS98DN-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Röð : ThunderFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 200V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 14.1A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 7.5V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 608pF @ 100V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 57W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PowerPAK® 1212-8
Pakki / mál : PowerPAK® 1212-8