Hlutanúmer :
IPG20N04S4L11ATMA1
Framleiðandi :
Infineon Technologies
Lýsing :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Röð :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET gerð :
2 N-Channel (Dual)
FET lögun :
Logic Level Gate
Afrennsli að uppspennu (Vdss) :
40V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.6 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt :
2.2V @ 15µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds :
1990pF @ 25V
Vinnuhitastig :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Festingargerð :
Surface Mount
Pakki / mál :
8-PowerVDFN
Birgir tæki pakki :
PG-TDSON-8-4