Vishay Siliconix - SIHP6N65E-GE3

KEY Part #: K6418819

SIHP6N65E-GE3 Verðlagning (USD) [78819stk lager]

  • 1 pcs$0.49608

Hlutanúmer:
SIHP6N65E-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Kerfisstjóratæki, Thyristors - DIACs, SIDACs, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistors - IGBTs - mát, Thyristors - SCRs - mát, Transistors - Forritanleg sameining, Transistors - IGBTs - Arrays and Transistors - sérstök tilgangur ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP6N65E-GE3 electronic components. SIHP6N65E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP6N65E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP6N65E-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SIHP6N65E-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Röð : -
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 650V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 7A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 4V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±30V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 78W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Through Hole
Birgir tæki pakki : TO-220AB
Pakki / mál : TO-220-3