Vishay Siliconix - SI7228DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525206

SI7228DN-T1-GE3 Verðlagning (USD) [129601stk lager]

  • 1 pcs$0.28539
  • 3,000 pcs$0.26799

Hlutanúmer:
SI7228DN-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF, Thyristors - SCR, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Single, Díóða - leiðréttingar - fylki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - breytileg getu, Díóða - Bríta leiðréttingar and Kerfisstjóratæki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI7228DN-T1-GE3 electronic components. SI7228DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7228DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7228DN-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI7228DN-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET 2N-CH 30V 26A PPAK 1212-8
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Obsolete
FET gerð : 2 N-Channel (Dual)
FET lögun : Standard
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 30V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 26A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 15V
Afl - Max : 23W
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgir tæki pakki : PowerPAK® 1212-8 Dual

Þú gætir líka haft áhuga á
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.