Vishay Siliconix - SI7911DN-T1-GE3

KEY Part #: K6524074

[4654stk lager]


    Hlutanúmer:
    SI7911DN-T1-GE3
    Framleiðandi:
    Vishay Siliconix
    Nákvæm lýsing:
    MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - Zener - Stakur, Díóða - leiðréttingar - fylki, Kerfisstjóratæki, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF, Thyristors - SCR, Díóða - Zener - Fylki and Díóða - breytileg getu ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3 electronic components. SI7911DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7911DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7911DN-T1-GE3 Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : SI7911DN-T1-GE3
    Framleiðandi : Vishay Siliconix
    Lýsing : MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
    Röð : TrenchFET®
    Hluti staða : Obsolete
    FET gerð : 2 P-Channel (Dual)
    FET lögun : Logic Level Gate
    Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 20V
    Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 4.2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ kt : 1V @ 250µA
    Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 4.5V
    Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Afl - Max : 1.3W
    Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Festingargerð : Surface Mount
    Pakki / mál : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Birgir tæki pakki : PowerPAK® 1212-8 Dual

    Þú gætir líka haft áhuga á