Vishay Siliconix - SI1988DH-T1-GE3

KEY Part #: K6524100

[3944stk lager]


    Hlutanúmer:
    SI1988DH-T1-GE3
    Framleiðandi:
    Vishay Siliconix
    Nákvæm lýsing:
    MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6.
    Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
    Á lager
    Geymsluþol:
    Eitt ár
    Flís frá:
    Hong Kong
    RoHS:
    Greiðslumáti:
    Sendingarleið:
    Fjölskylduflokkar:
    KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - JFETs, Díóða - leiðréttingar - stakir, Díóða - Zener - Fylki, Díóða - leiðréttingar - fylki, Transistors - IGBTs - Arrays, Thyristors - SCRs - mát, Díóða - Bríta leiðréttingar and Transistors - sérstök tilgangur ...
    Samkeppnisforskot:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1988DH-T1-GE3 electronic components. SI1988DH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1988DH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1988DH-T1-GE3 Vörueiginleikar

    Hlutanúmer : SI1988DH-T1-GE3
    Framleiðandi : Vishay Siliconix
    Lýsing : MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
    Röð : TrenchFET®
    Hluti staða : Obsolete
    FET gerð : 2 N-Channel (Dual)
    FET lögun : Logic Level Gate
    Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 20V
    Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 1.3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ kt : 1V @ 250µA
    Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 8V
    Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V
    Afl - Max : 1.25W
    Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Festingargerð : Surface Mount
    Pakki / mál : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Birgir tæki pakki : SC-70-6 (SOT-363)

    Þú gætir líka haft áhuga á