Infineon Technologies - IPB60R190C6ATMA1

KEY Part #: K6418284

IPB60R190C6ATMA1 Verðlagning (USD) [57512stk lager]

  • 1 pcs$0.67987

Hlutanúmer:
IPB60R190C6ATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Díóða - Bríta leiðréttingar, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Transistors - sérstök tilgangur, Thyristors - SCR, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast and Thyristors - TRIACs ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R190C6ATMA1 electronic components. IPB60R190C6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R190C6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R190C6ATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : IPB60R190C6ATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Röð : CoolMOS™
Hluti staða : Not For New Designs
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 600V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 20.2A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3.5V @ 630µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 100V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 151W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : D²PAK (TO-263AB)
Pakki / mál : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB