Vishay Siliconix - SI7113DN-T1-GE3

KEY Part #: K6417959

SI7113DN-T1-GE3 Verðlagning (USD) [118801stk lager]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Hlutanúmer:
SI7113DN-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - Bríta leiðréttingar, Transistors - IGBTs - Arrays, Thyristors - SCR, Transistors - JFETs, Díóða - leiðréttingar - fylki, Kerfisstjóratæki, Transistors - Forritanleg sameining and Transistors - Tvíhverfur (BJT) - RF ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SI7113DN-T1-GE3 electronic components. SI7113DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7113DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7113DN-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SI7113DN-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 13.2A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 134 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1480pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vinnuhitastig : -50°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PowerPAK® 1212-8
Pakki / mál : PowerPAK® 1212-8