Infineon Technologies - BSZ160N10NS3GATMA1

KEY Part #: K6420036

BSZ160N10NS3GATMA1 Verðlagning (USD) [153663stk lager]

  • 1 pcs$0.24071
  • 5,000 pcs$0.22080

Hlutanúmer:
BSZ160N10NS3GATMA1
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Nákvæm lýsing:
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Kerfisstjóratæki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Transistors - sérstök tilgangur, Transistors - Tvíhverfur (BJT) - Einstakir, fyrirf, Díóða - breytileg getu, Díóða - RF, Transistors - FETs, MOSFETs - Single and Díóða - leiðréttingar - fylki ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Infineon Technologies BSZ160N10NS3GATMA1 electronic components. BSZ160N10NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSZ160N10NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ160N10NS3GATMA1 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : BSZ160N10NS3GATMA1
Framleiðandi : Infineon Technologies
Lýsing : MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Röð : OptiMOS™
Hluti staða : Active
FET gerð : N-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 100V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 8A (Ta), 40A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 3.5V @ 12µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±20V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 50V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PG-TSDSON-8
Pakki / mál : 8-PowerTDFN

Þú gætir líka haft áhuga á