Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ef staðsetning þín er ekki skráð skaltu velja eitt af eftirfarandi:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Heim
  2. Vörur
  3. Discrete Semiconductor Products
  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. EPC2110ENGRT

EPC - EPC2110ENGRT

KEY Part #: K6524902

EPC2110ENGRT Verðlagning (USD) [91507stk lager]

  • 1 pcs$0.45551
  • 2,500 pcs$0.45324
Hlutanúmer:
EPC2110ENGRT
Framleiðandi:
EPC
Nákvæm lýsing:
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Transistors - JFETs, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, forspeglast, Transistors - sérstök tilgangur, Kerfisstjóratæki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - Zener - Fylki and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in EPC EPC2110ENGRT electronic components. EPC2110ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2110ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2110ENGRT Vörueiginleikar

Hlutanúmer : EPC2110ENGRT
Framleiðandi : EPC
Lýsing : GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Röð : eGaN®
Hluti staða : Active
FET gerð : 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET lögun : GaNFET (Gallium Nitride)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 120V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ kt : 2.5V @ 700µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 80pF @ 60V
Afl - Max : -
Vinnuhitastig : -40°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Pakki / mál : Die
Birgir tæki pakki : Die
Þú gætir líka haft áhuga á
  • FDG6322C

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 25V SC70-6.

  • SI1900DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6.

  • FDY4000CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC89-6.

  • ZXMN3AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP.

  • SI6926ADQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP.

  • STC5DNF30V

    STMicroelectronics

    MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8TSSOP.

Heitar hlutar