Vishay Siliconix - SIR401DP-T1-GE3

KEY Part #: K6420512

SIR401DP-T1-GE3 Verðlagning (USD) [203660stk lager]

  • 1 pcs$0.18161
  • 3,000 pcs$0.17054

Hlutanúmer:
SIR401DP-T1-GE3
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Nákvæm lýsing:
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8.
Venjulegur framleiðslutími framleiðanda:
Á lager
Geymsluþol:
Eitt ár
Flís frá:
Hong Kong
RoHS:
Greiðslumáti:
Sendingarleið:
Fjölskylduflokkar:
KEY Components Co, LTD er rafeindabúnaður dreifingaraðili sem býður upp á vöruflokka þar á meðal: Díóða - Zener - Fylki, Smára - tvíhverfa (BJT) - fylki, Díóða - Zener - Stakur, Díóða - RF, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristors - SCRs - mát, Transistors - FETs, MOSFETs - Single and Transistors - FETs, MOSFETs - RF ...
Samkeppnisforskot:
We specialize in Vishay Siliconix SIR401DP-T1-GE3 electronic components. SIR401DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR401DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR401DP-T1-GE3 Vörueiginleikar

Hlutanúmer : SIR401DP-T1-GE3
Framleiðandi : Vishay Siliconix
Lýsing : MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Röð : TrenchFET®
Hluti staða : Active
FET gerð : P-Channel
Tækni : MOSFET (Metal Oxide)
Afrennsli að uppspennu (Vdss) : 20V
Straumur - Stöðugur frárennsli (auðkenni) við 25 ° C : 50A (Tc)
Drifspenna (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ kt : 1.5V @ 250µA
Hliðargjald (Qg) (Max) @ Vgs : 310nC @ 10V
Vgs (hámark) : ±12V
Inntaksrýmd (Ciss) (Max) @ Vds : 9080pF @ 10V
FET lögun : -
Dreifing orku (Max) : 5W (Ta), 39W (Tc)
Vinnuhitastig : -55°C ~ 150°C (TJ)
Festingargerð : Surface Mount
Birgir tæki pakki : PowerPAK® SO-8
Pakki / mál : PowerPAK® SO-8

Þú gætir líka haft áhuga á